ケースレーの ‘超速’I-V（電流‐電圧）モジュールにより、 材料、デバイス、プロセスの3つの必須特性評価を １つの測定器に集約

ケースレーの ‘超速’I-V（電流‐電圧）モジュールにより、材料、デバイス、プロセスの3つの必須特性評価を１つの測定器に集約

2010年２月18日―先進電子計測器、システムの世界的リーダであるKeithley Instruments, Inc. (NYSE:KEI)は、本日、 4200-SCS型 半導体特性評価システムの既存の多様な測定オプションに、最新の機能として4225-PMU型 ‘超速’I-Vモジュールを発表しました。4200-SCS型は、これまで半導体業界における広範な電圧・電流レンジ、立上り/立下り/パルス時間の要求に適時対応して参りました。今回、この環境に、強力な超高速の電圧波形発生および同時電流/電圧測定の機能を統合したことで、4200-SCS型による材料、デバイス、そしてプロセスの3つの評価の能力が劇的に拡充されました。大切なポイントは、4225-PMU型によって、超速のI-V印加測定をDC測定のように簡単に行えるようにしたことです。広範囲のプログラム可能な印加と測定レンジ（60ナノ秒パルスからの超高速電圧出力と同期された測定）、パルス幅、そして立上り時間の卓越した性能により、ナノメータCMOSからフラッシュメモリなどまで、各種試験アプリケーションに変革をもたらします。詳しくは、 http://keithley.acrobat.com/p77402742/.
デバイス、材料、プロセスを十分に評価するのに３つの別個の試験装置が必要だった従来のソリューションとは違い、4225-PMU型の広いダイナミックレンジにより、1台の計測装置で、材料、デバイス、プロセスのすべての特性が評価可能になりました。研究開発では、3つの測定タイプ：精密DC I-V（4200-SMU）、ACインピーダンス（4210-CVU型 C-Vモジュール）、そして‘超速’I-V（4225-PMU型）のすべてを扱える柔軟性に富んだ従来にない測定システムを構成できます。
ひとつのモジュールに2チャンネルの統合された印加測定を搭載
各4225-PMUモジュールは統合された印加と測定を2チャンネル搭載し、4200-SCS型本体の9個のスロットの中の1スロットを占有するだけです。各シャーシには最大4モジュールを搭載できるので、最大8個の同期された超高速印加測定チャンネルを装備できます。各チャンネルは高速電圧出力（60ナノ秒からDCまでのパルス幅を10ナノ秒ステップで提供）に電流および電圧を同時に測定する機能を備えています。高速電圧パルス発生とともに、14ビットアナログ‐デジタルコンバータ(ADC)で最高200Ｍサンプル/秒(MS/s)のサンプルレートで同時電流電圧測定を行います。チャンネル当り2個のADCを使っているので、１モジュールでは4個使用していることになります。2つの電圧印加レンジ（±10Vまたは±40V＠1MΩ）が選択可能で、電流については4つの測定レンジ（800mA、200mA、10mA、100μA）を備えています。
新しいハードで印加測定の柔軟性を拡大
各4225-PMU型には、オプションである4225-RPMリモートアンプ/スイッチを各チャンネルに接続すると、新たにより低い４つの電流レンジ（100μA、10μA、1μA、100nA）を追加できます。また、測定ケーブルの容量効果を下げるとともに、本体に搭載されている4225-PMU型、4210-CVU型と他のSMUを自動切換えする機能をサポートしています。尚、4220-PGU型パルス発生モジュールは、電圧印加だけの機能で済む場合には4225-PMUの代替として使うこともできます。
材料、デバイス、プロセスの広範な評価アプリケーション
4225-PMUと4225-RPMを一緒に使うことで、ほかの1台の測定器ではなし得なかった広範なアプリケーションに対応するのに必要な全ての手段が提供されます。いくつかのアプリケーションを挙げます。

• 一般的な超高速 I-V 測定：パルス I-V には、デバイスの自己加熱を避けるためにDC信号ではなく幅の狭いパルスやデューティサイクルの小さなパルスを使うアプリケーションも含めて、多様な試験が含まれます。
• CMOS デバイス特性評価：4225-PMU/4225-RPMの高速電圧印加と高感度電流測定は、CMOSデバイスの特性評価に最適です。たとえば、high-κデバイスやSOI(Silicon-on-Insulator)のような先進のCMOS技術の評価に利用できます。
• 不揮発性メモリデバイス試験：4200システムのKTEIソフトウェアは、フラッシュや相変化メモリ(PCM)デバイスの試験に必要なツールキットを提供しています。研究開発やプロセス検証での個別のメモリセルや小規模のアレイの試験に最適です。
• 化合物半導体デバイスや材料の評価： 4225-PMU型は、GaN (gallium nitride)、GaAs (gallium arsenide)や他の化合物半導体のような III-V族材料の評価に便利です。増幅器の利得やデバイスの直線性を調べるために、パルスオフセット電圧を設定しゼロではない値から測定することもできます。
• NBTI/PBTI 信頼性試験：オプションの 4200-BTI-A型 ‘超速’ BTI パッケージは、現状での最高速かつ最高感度の測定でもって、既知のBTI 試験手法のすべてを実現し得るハードウェアとソフトウェアを統合しています。また、ACS(Automated Characterization Suite)ソフトウェアを使うと、ウェーハレベルやカセットレベルでの自動化が可能で、使いやすいGUIベースのNBTI/PBTI 試験ライブラリが提供されます。

4種のプログラマブルスイープ（オプション）
4225-PMU型は、リニア、パルス、任意波形および セグメントARB®（特許出願中）の4種類のスイープを発生できます。セグメントARBモードは最大2048のユーザ定義のラインセグメントにより、波形の生成、保存、発生が簡単に行え、波形発生の柔軟性が飛躍的に高まります。
高性能ケーブル接続
複数タイプの測定のための高性能ケーブルキット（オプション）によって4200-SCS型をプローバのマニピュレータに接続すると、DC I-V、C-V、超高速I-V試験の３つの構成間での切換えが簡単になり、再配線の必要がなくなり信号が従来になく忠実に伝えられます。
価格と納期
価格：4225-PMU型： 2,375,000円、 4225-RPM型： 375,000円、4220-PGU型 (電圧印加のみ)：1,625,000円、4200-BTI-A型：3,625,000円
納期：2010年5月
詳細情報
詳細は http://keithley.acrobat.com/p77402742/ へアクセスするか、以下にご連絡ください。