“スマート”TDDBによるHigh-kゲートスタック自動モニター
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概要 |
定電圧ストレス印加時のゲート絶縁物の劣化を、SILC（Stress Induced Leakage Current）を用いた特性評価を織りまぜて自動的にモニターする新しい“スマート”アルゴリズムを開発した。この手法では、SILCデータは、測定さ れるストレス電流の変化とストレス印加時間間隔のいずれかでトリガされ自動的に測定収集される。この完全自動試験はケースレーのシリーズ2600ソース メータを使って実現されており、トランジスタのTiN/HfO2ゲートスタックの劣化現象の解明に活用された。（本開発は、米セマテックと米ケースレー社 の共同研究として行われた。） |
関連製品 |
 2636A型 システムソースメータ |
期待する参加者 |
半導体デバイスの信頼性技術の研究開発、プロセスへの信頼性設計および信頼性モニタリングにかかわるエンジニアならびに管理者の方 |
担当エンジニア |
アプリケーションエンジニア 大里 一徳 |
最終変更日 2010-12-31
